[发明专利]一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811197310.1 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109037356A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区，在条形第一P型阱区和条形第一N型阱区下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区及条形第二N型阱区，条形第一P型阱区分别与条形第二P型阱区、条形第二N型阱区间呈30度~90度的夹角；本发明通过在条形第一P型阱区下方设置与条形第一P型阱区呈一定夹角的条形第二P型阱区，同时提高条形P型阱区间条形N型阱区的掺杂浓度，大幅增加器件的击穿电压，改善器件的浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 高耐压 碳化硅 外延层 分立 半导体基板 半导体器件 击穿电压 浪涌电流 下表面 衬底 制造 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，包括半导体基板，所述半导体基板包括N型碳化硅衬底（2）及位于N型碳化硅衬底（2）上的N型碳化硅外延层（3），其特征在于，在所述N型碳化硅外延层（3）内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区（6）及位于相邻条形第一P型阱区（6）间的条形第一N型阱区（7），在所述条形第一P型阱区（6）和条形第一N型阱区（7）下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区（5）及位于相邻条形第二P型阱区（5）间的条形第二N型阱区（4），所述条形第一P型阱区（6）分别与条形第二P型阱区（5）、条形第二N型阱区（4）间呈30度~90度的夹角。
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