[发明专利]一种压电微型超声换能器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811197406.8 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111039251B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李昕欣;焦鼎;倪藻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G06V40/12 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压电微型超声换能器及其制备方法，所述超声换能器包括单晶硅片和阵列排列在所述单晶硅片单面的多个超声换能器单元，所述超声换能器单元至少包括腔体结构以及悬空支撑在所述腔体结构上方的多层复合膜结构，各个超声换能器单元的腔体结构之间通过至少一条腐蚀通道连通，所述多层复合膜结构自下而上依次包括弹性层、绝缘层以及压电敏感层，所述腐蚀通道可以加快芯片的结构释放速率，提高器件敏感结构的占空比。本发明的超声换能器是通过在一块单晶硅片的同一面进行表面硅微机械工艺制作而成，另一面并不参与工艺制作，避免了传统双面对准/曝光和键合工艺，大大降低芯片尺寸，减少制作成本，且与IC工艺兼容，可实现大批量制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 微型 超声 换能器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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