[发明专利]基于CsPbX3纳米晶的协同作用制备钙钛矿太阳能电池的方法在审
申请号: | 201811198352.7 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109360893A | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 陈棋;李煜璟;宰华超;孙于超 | 申请(专利权)人: | 北京曜能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 杨志兵;仇蕾安 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于CsPbX3纳米晶的协同作用制备钙钛矿太阳能电池的方法,属于太阳能电池技术领域。所示钙钛矿太阳能电池依次由导电基底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层以及对电极组成,主要是采用打发溶剂法将含有CsPbX3纳米晶的反溶剂胶体溶液涂覆在钙钛矿光吸收层上,将CsPbX3纳米晶掺入到钙钛矿吸收层中。CsPbX3纳米晶的引入从原子层面上对钙钛矿异质结进行界面修饰,改善了钙钛矿薄膜的结晶质量,降低缺陷密度;而且CsPbX3纳米晶在钙钛矿薄膜上形成梯度异质结,改进了钙钛矿光吸收层和空穴传输层之间界面的载流子传输行为,进而提高了电池的光电转换效率以及电池的长期稳定性。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 纳米晶 太阳能电池 光吸收层 钙钛矿薄膜 空穴传输层 制备钙钛矿 异质结 电池 太阳能电池技术 光电转换效率 长期稳定性 电子传输层 载流子传输 胶体溶液 界面修饰 原子层面 导电基 对电极 反溶剂 溶剂法 吸收层 掺入 涂覆 引入 改进 | ||
【主权项】:
1.一种基于CsPbX3纳米晶的协同作用制备钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于:所述方法具体步骤如下:(1)将氧化锡胶体水溶液旋涂到导电基底(1)上,退火处理,在导电基底(1)上形成电子传输层(2);(2)将钙钛矿前体溶液旋涂到电子传输层(2)上,旋涂时间剩余5s~20s时,打反溶剂胶体溶液100μL~500μL并继续旋涂,旋涂结束后进行退火处理,在电子传输层(2)上形成钙钛矿光吸收层(3);(3)将Spiro‑OMeTAD溶液旋涂到钙钛矿光吸收层(3)上,在钙钛矿光吸收层(3)上形成空穴传输层(4);(4)在真空条件下,在空穴传输层(4)上蒸镀金属材料作为对电极(5),得到钙钛矿太阳能电池;其中,钙钛矿前体溶液是由碘化甲脒、碘化铅、溴化甲胺、溴化铅、N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜配制而成的,其旋涂转速为2000rpm~4000rpm,旋涂时间为30s~40s;反溶剂胶体溶液是由粒径2nm~20nm的CsPbX3纳米晶与非极性溶剂配制而成的浓度为0.1mg/mL~3mg/mL的胶体溶液,X=Cl、Br、I或其混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京曜能科技有限公司,未经北京曜能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811198352.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择