[发明专利]用于BEOL互连的ALD铜与高温PVD铜沉积的集成在审
| 申请号： | 201811198939.8 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109671666A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 许本立;刘风全;河泰泓;张镁;谢里什·派斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述用于利用铜的无缝间隙填充来填充特征结构的方法和装置。通过原子层沉积在基板表面上沉积铜间隙填充种晶层，接着通过物理气相沉积来沉积铜，以用铜填充间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙填充 沉积 物理气相沉积 方法和装置 原子层沉积 基板表面 特征结构 铜沉积 铜填充 种晶层 互连 填充 | ||
【主权项】：
1.一种间隙填充的方法，所述方法包括：在基板表面上通过原子层沉积(ALD)来形成铜间隙填充种晶层，所述基板表面上具有特征结构，所述原子层沉积发生在第一温度下；和在高于所述第一温度的第二温度下通过物理气相沉积(PVD)用铜填充所述特征结构，以形成无缝的间隙填充膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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