[发明专利]一种用于化学气相沉淀的暗影框结构有效
| 申请号： | 201811200517.X | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109338335B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 余华华 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于化学气相沉淀的暗影框结构，包括：多条陶瓷边框，该多条陶瓷边框边框依次首尾连接形成框状结构，任意相连的两条所述陶瓷边框的连接处分别设置有插槽以及凸起部，该陶瓷边框的凸起部插设在另一陶瓷边框的插槽中，且该陶瓷边框的设置有插槽的侧壁部位开设有贯穿该插槽的通孔，该凸起部上对应设置有螺纹孔；多个固定螺栓，每一所述固定螺栓分别穿过该通孔并螺接在对应凸起部上的螺纹孔中，所述固定螺栓的延伸方向与所述框状结构所在平面平行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 化学 沉淀 暗影 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学气相沉淀的暗影框结构，其特征在于，包括：多条陶瓷边框，该多条陶瓷边框边框依次首尾连接形成框状结构，任意相连的两条所述陶瓷边框的连接处分别设置有插槽以及凸起部，该陶瓷边框的凸起部插设在另一陶瓷边框的插槽中，且该陶瓷边框的设置有插槽的侧壁部位开设有贯穿该插槽的通孔，该凸起部上对应设置有螺纹孔；多个固定螺栓，每一所述固定螺栓分别穿过该通孔并螺接在对应凸起部上的螺纹孔中，所述固定螺栓的延伸方向与所述框状结构所在平面平行。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
