[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201811203289.1 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109192745A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 沈新林;王海宽;洪波;吴龙江;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 杨楷;毛立群 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种背照式图像传感器,包括:器件层,器件层内形成有多个光电二极管;层间介质层,设置于器件层一侧;金属间介质层,形成于层间介质层背离器件层的一侧;凸透镜阵列,配置于层间介质层与金属间介质层之间,其材料的折射率大于层间介质层和金属间介质层的材料的折射率。该背照式图像传感器能够有效偏折原本可能造成串扰的光线,使其经反射后仍旧回到原先的光电二极管,不仅避免了相邻光电二极管之间的串扰,还提高了光的量子效率。 | ||
搜索关键词: | 层间介质层 器件层 背照式图像传感器 金属间介质层 光电二极管 折射率 串扰 凸透镜阵列 量子效率 偏折 反射 背离 配置 | ||
【主权项】:
1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括:器件层,所述器件层内形成有多个光电二极管;层间介质层,设置于所述器件层一侧;金属间介质层,形成于所述层间介质层背离所述器件层的一侧;凸透镜阵列,配置于所述层间介质层与所述金属间介质层之间,其材料的折射率大于所述层间介质层和所述金属间介质层的材料的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的