[发明专利]一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201811204227.2 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109164675A 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 邵志忙;王晓龙;吴鹏;陈力钧 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32;G03F7/20
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法,属于光刻掩膜版的制作及应用技术领域,包括:提供一预处理结构,预处理结构包括石英层、MoSi层、Gr层;于预处理结构上涂覆光刻胶层,根据预设曝光形状对光刻胶层进行曝光形成窗口;以光刻胶层为掩膜对Gr层和MoSi层进行刻蚀,以得到预处理复合型掩膜版;去除预处理复合型掩膜版中的光刻胶层,以得到复合型掩膜版。本发明的有益效果:通过设计复合型掩模版,既保留了双极型掩模版暗区遮光好的优势,又采用强度衰减相掩模版来形成更陡峭的光强变化,优势互补,通过使用复合型掩膜版能够成功解决敏感光刻胶形貌问题,得到更直的光阻形貌,改善了对光敏感的光阻形貌。
搜索关键词: 形貌 掩模版 掩膜版 预处理结构 光刻胶层 敏感光 预处理 光阻 制作 应用技术领域 光刻掩膜版 光强变化 曝光形状 强度衰减 刻胶层 石英层 双极型 暗区 刻蚀 涂覆 掩膜 预设 遮光 去除 陡峭 敏感 曝光 保留 成功
【主权项】:
1.一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版,其特征在于,包括:石英层;多个复合结构,每个所述复合结构分别设置于所述石英层上;所述复合结构包括:MoSi层,所述MoSi层设置于所述的上表面;Gr层,所述Gr层设置于所述MoSi层的上表面。
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