[发明专利]一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法在审
申请号: | 201811204227.2 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109164675A | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 邵志忙;王晓龙;吴鹏;陈力钧 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/20 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法,属于光刻掩膜版的制作及应用技术领域,包括:提供一预处理结构,预处理结构包括石英层、MoSi层、Gr层;于预处理结构上涂覆光刻胶层,根据预设曝光形状对光刻胶层进行曝光形成窗口;以光刻胶层为掩膜对Gr层和MoSi层进行刻蚀,以得到预处理复合型掩膜版;去除预处理复合型掩膜版中的光刻胶层,以得到复合型掩膜版。本发明的有益效果:通过设计复合型掩模版,既保留了双极型掩模版暗区遮光好的优势,又采用强度衰减相掩模版来形成更陡峭的光强变化,优势互补,通过使用复合型掩膜版能够成功解决敏感光刻胶形貌问题,得到更直的光阻形貌,改善了对光敏感的光阻形貌。 | ||
搜索关键词: | 形貌 掩模版 掩膜版 预处理结构 光刻胶层 敏感光 预处理 光阻 制作 应用技术领域 光刻掩膜版 光强变化 曝光形状 强度衰减 刻胶层 石英层 双极型 暗区 刻蚀 涂覆 掩膜 预设 遮光 去除 陡峭 敏感 曝光 保留 成功 | ||
【主权项】:
1.一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版,其特征在于,包括:石英层;多个复合结构,每个所述复合结构分别设置于所述石英层上;所述复合结构包括:MoSi层,所述MoSi层设置于所述的上表面;Gr层,所述Gr层设置于所述MoSi层的上表面。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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