[发明专利]一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底有效
| 申请号： | 201811204690.7 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109280965B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 高超;刘家朋;李加林;李长进;李霞;张红岩 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36;C30B33/02 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底，属于半导体材料领域。该半绝缘碳化硅单晶包含浅能级杂质、低浓度深能级掺杂剂和极少量本征点缺陷；所述深能级掺杂剂与所述本征点缺陷共同补偿浅能级杂质，所述深能级掺杂剂的浓度小于掺杂半绝缘碳化硅单晶中深能级掺杂剂的浓度；所述本征点缺陷的浓度为室温下碳化硅单晶中的本征点缺陷原生浓度，所述本征点缺陷浓度不影响碳化硅单晶电学性能的稳定性。该半绝缘碳化硅单晶具有高度稳定的电阻率，并且具有高的电阻率均匀性。由该碳化硅单晶制备的碳化硅单晶衬底具有高的电阻率均匀性、低应力，使得碳化硅单晶衬底具有优异的面型质量，从而保证了后续外延质量的稳定性和一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 少量 质量 绝缘 碳化硅 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶，其特征在于，包含浅能级杂质、低浓度深能级掺杂剂和极少量的本征点缺陷；所述深能级掺杂剂与所述本征点缺陷共同补偿浅能级杂质，所述深能级掺杂剂的浓度小于掺杂半绝缘碳化硅单晶中深能级掺杂剂的浓度；所述本征点缺陷的浓度为室温下碳化硅单晶中的本征点缺陷原生浓度，所述本征点缺陷浓度不影响碳化硅单晶电学性能的稳定性。
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