[发明专利]基于铌酸锂薄膜的同相正交调制器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811204697.9 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109143621B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡鑫伦;简健 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铌酸锂的同相正交调制器，包括衬底、铌酸锂薄膜、铌酸锂光波导、1×2光学分束器、马赫曾德尔调制器、90°偏置结构；所述铌酸锂薄膜键合于衬底上，所述铌酸锂光波导、1×2光学分束器、马赫曾德尔调制器、90°偏置结构均设置在铌酸锂薄膜上；所述光束通过1×2光学分束器分出两支光束，两支光束分别通过不同的马赫曾德尔调制器，马赫曾德尔调制器输出端输出两支光束，其中一支光束进入90°偏置结构后输出，另一支光束用于检测输出。本发明具有低功耗、小型化、低驱动电压、高带宽的高阶相位和强度调制器件。本发明适用于光学信号调制领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 薄膜 正交 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于铌酸锂的同相正交调制器，其特征在于：包括衬底、设置在衬底上的铌酸锂薄膜，以及制备在铌酸锂薄膜上的1×2光学分束器A、两路马赫曾德尔调制器、90°偏置结构，和制备在铌酸锂薄膜上用于传递光束的光波导；1×2光学分束器A与两路马赫曾德尔调制器的输入端连接，两路马赫曾德尔调制器的输出端与90°偏置结构连接。
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