[发明专利]一种磁屏蔽桶内高均匀磁场与梯度复合磁场产生方法有效
| 申请号： | 201811205846.3 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111060858B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 秦杰;刘栋苏;万双爱;王春娥 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | G01R33/38 | 分类号： | G01R33/38;G01R33/385 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 孙成林 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种磁屏蔽桶内高均匀磁场与梯度复合磁场产生方法，它包括如下步骤：第一步，通过改进的Helmholtz线圈产生Z均匀磁场；第二步，通过马鞍形线圈产生X、Y方向均匀磁场；第三步，通过马鞍形梯度线圈产生 |
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| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 桶内高 均匀 磁场 梯度 复合 产生 方法 | ||
【主权项】：
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