[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体器件及其形成方法。提供第一衬底，第一衬底具有在其中的导电特征、导电特征上方的金属凸块以及金属凸块旁的钝化堆叠。于金属凸块和钝化堆叠上方形成第一绝缘层。执行第一图案化工艺和第二图案化工艺以在第一绝缘层中形成第一开口图案和第二开口图案。第二图案化工艺裸露出金属凸块。提供第二衬底，第二衬底具有在其上的第二绝缘层。在第二绝缘层和第一绝缘层面对彼此的情况下将第二衬底结合到第一衬底，以使得第二绝缘层填充第一绝缘层的第一开口图案和第二开口图案。移除第一绝缘层和部分钝化堆叠。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，其特征在于包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有在其中的导电特征、所述导电特征上方的第一金属凸块以及所述第一金属凸块旁的钝化堆叠；在所述第一金属凸块以及所述钝化堆叠上方形成第一绝缘层；执行第一图案化工艺以在所述第一绝缘层中形成第一开口图案；执行第二图案化工艺以在所述第一绝缘层中形成第二开口图案，其中所述第二图案化工艺裸露出所述第一金属凸块；提供第二衬底，所述第二衬底具有在其上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层面对彼此的情况下将所述第二衬底结合到所述第一衬底，以使得所述第二绝缘层填充所述第一绝缘层的所述第一开口图案以及所述第二开口图案；以及移除所述第一绝缘层以及部分所述钝化堆叠。