[发明专利]基于飞行时间三维图像传感器的背景噪声抑制像素电路有效
申请号: | 201811208275.9 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN109510955B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 徐江涛;史晓琳;聂凯明;高静 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357;H04N5/369 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及图像传感器领域,为使基于ToF的3D图像传感器具有更优秀的成像和探测性能,提高成像精度,降低背景噪声,进而扩大3D图像传感器的使用场合,本发明,应用于三维图像传感器的背景噪声抑制像素结构,由PMOS管P1‑P2,光电二极管Photo‑detector,差分比较器DDA,透明锁存器Latch,与非门NAND和与门AND组成,连接关系如下:PMOS管P1源极接电源VDD,P1漏级接光电二极管Photo‑detector的FD1;PMOS管P2源极接电源VDD,P2漏级接光电二极管Photo‑detector的FD2。本发明主要应用于图像传感器设计制造场合。 | ||
搜索关键词: | 基于 飞行 时间 三维 图像传感器 背景 噪声 抑制 像素 电路 | ||
【主权项】:
1.一种应用于三维图像传感器的背景噪声抑制像素结构,其特征是,由PMOS管P1‑P2,光电二极管Photo‑detector,差分比较器DDA,透明锁存器Latch,与非门NAND和与门AND组成,连接关系如下:PMOS管P1源极接电源VDD,P1漏级接光电二极管Photo‑detector的FD1;PMOS管P2源极接电源VDD,P2漏级接光电二极管Photo‑detector的FD2;光电二极管中的节点FD1与节点FD2分别与差分比较器的反相输入端Vin‑和同相输入端Vin+端口相连接;差分比较器DDA中的反相参考端口Vref‑和同相参考端口Vref+分别接参考电压,差分比较器的输出端口Vout与透明锁存器Latch的输入端口D相连接;透明锁存器Latch的clk端口接时钟clk+,clkb端口接反相时钟clk‑,输出端口Q接与非门B输入端;与非门A输入端接时钟clk+,输出端接与门AND的B输入端;与门AND的A端口接全局复位信号,输出端接PMOS管P1,P2的栅极,用于像素复位。
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