[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法有效
| 申请号： | 201811209654.X | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109402731B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈华荣;张洁;廖弘基;陈泽斌 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法，高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长坩埚；生长坩埚底部插有气管；生长坩埚顶部设置有生长坩埚盖；生长坩埚内部放置有碗状结构的原料坩埚；原料坩埚上部设置有挡板；原料坩埚底部设置有环状支撑的原料坩埚底脚；原料坩埚底脚的直径为原料坩埚直径的1/8；原料坩埚底脚上设置有均匀分布的8个～36个气孔。本发明的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置采用特殊材质的原料坩埚，避免碳化硅原料与石墨直接接触，使得碳化硅原料与生长坩埚隔离，避免生长坩埚及保温层中带N，B等杂质进入原料，避免了生长过程引入杂质，且原料坩埚和生长坩埚可以重复回收利用，大大降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 绝缘 碳化硅 晶体生长 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括生长坩埚(6)；所述生长坩埚(6)底部插有气管(7)；所述生长坩埚(6)顶部设置有生长坩埚盖(5)；所述生长坩埚(6)内部放置有碗状结构的原料坩埚(2)；所述原料坩埚(2)上部设置有挡板(1)；所述原料坩埚(2)底部设置有环状支撑的原料坩埚底脚(3)；所述原料坩埚底脚(3)的直径为原料坩埚(2)直径的1/8；所述原料坩埚底脚(3)上设置有均匀分布的8个～36个气孔(4)。
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