[发明专利]一种LED外延结构生长方法有效
| 申请号： | 201811210130.2 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109411573B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 43214 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 郑隽;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED外延结构生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括预处理、生长In | ||
| 搜索关键词： | 生长 多量子阱层 掺杂 预处理 辐射复合效率 不掺杂GaN层 低温缓冲层 电子阻挡层 量子阱生长 产品良率 发光效率 高温处理 降温冷却 外延生长 量子阱 外延片 衬底 翘曲 申请 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却；其中生长多量子阱层依次包括：预处理、生长In
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