[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811210175.X | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109560171B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底；在衬底上顺次沉积缓冲层、未掺杂GaN层和N型掺杂GaN层；在N型掺杂GaN层上沉积多量子阱层，多量子阱层包括若干层叠的量子阱垒层，量子阱垒层包括阱层和层叠在阱层上的垒层，阱层包括第一InGaN层，垒层包括AlInGaN层和层叠在AlInGaN层上的GaN层，量子阱垒层中垒层的AlInGaN层靠近阱层，靠近N型掺杂GaN层的量子阱垒层中的阱层与N型掺杂GaN层接触；在多量子阱层上顺次沉积电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。本发明能够避免MQW层内产生压电效应，提高电子和空穴发生辐射复合的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上顺次沉积缓冲层、未掺杂GaN层和N型掺杂GaN层；在所述N型掺杂GaN层上沉积多量子阱层，所述多量子阱层包括若干层叠的量子阱垒层，所述量子阱垒层包括阱层和层叠在所述阱层上的垒层，所述阱层包括第一InGaN层，所述垒层包括AlInGaN层和层叠在所述AlInGaN层上的GaN层，所述量子阱垒层中垒层的AlInGaN层靠近所述量子阱垒层中阱层，靠近所述N型掺杂GaN层的量子阱垒层中的阱层与所述N型掺杂GaN层接触；在所述多量子阱层上顺次沉积电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。
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