[发明专利]减少在晶片边缘的背面沉积

摘要

本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。

主权项

1.一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括：配置为接收所述晶片的基座，所述基座具有，从所述基座的中心轴线延伸至顶表面的直径的中央顶表面，所述中央顶表面被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平，环形表面，其从所述顶表面的直径延伸到所述环形表面的外径，所述环形表面处于所述中央顶表面下的台阶，具有环形主体的承载环，所述环形主体具有底部表面和顶部表面，所述承载环的所述环形主体的所述底部表面配置成在处理期间支撑在所述环形表面上方，所述承载环具有内径和被限定为靠近所述内径的台阶下表面，所述台阶下表面与从所述台阶下表面延伸到所述环形主体的外径的所述顶部表面相对；其中，当所述承载环在处理期间支撑在所述环形表面上方时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的垂直间隔处；其中，所述垂直间隔在晶片被支撑在所述基座上时限定所述承载环的所述台阶下表面和所述晶片之间的上部间隙，所述上部间隙小于0.15毫米；其中，当所述晶片存在于所述处理室内并被支撑在所述基座上时，所述晶片的边缘被配置为悬垂在所述顶表面的直径上方，使得所述晶片的所述边缘悬垂并驻留在所述承载环的所述台阶下表面上方。