[发明专利]开关元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811211684.4 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109686791A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 金原启道;山下侑佑;山本建策 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开开关元件及其制造方法。开关元件具备半导体基板、沟槽、栅极绝缘膜以及栅极电极。源极区域在半导体基板的上表面露出，与栅极绝缘膜相接。主体区域在源极区域的下侧与栅极绝缘膜相接。漂移区域在主体区域的下侧与栅极绝缘膜相接。底部区域在沟槽的底面与栅极绝缘膜相接。连接区域在沟槽的侧面与栅极绝缘膜相接，连接主体区域与底部区域。沟槽的侧面具有第一侧面和位于第一侧面的下侧的第二侧面。第二侧面的倾斜角度比第一侧面的倾斜角度大。主体区域与漂移区域的界面在第一侧面与栅极绝缘膜相接。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极绝缘膜 侧面 开关元件 主体区域 半导体基板 底部区域 漂移区域 源极区域 倾斜角度比 连接区域 连接主体 栅极电极 上表面 底面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种开关元件，其中，具备：半导体基板；设置在所述半导体基板的上表面的沟槽；覆盖所述沟槽的内表面的栅极绝缘膜；以及栅极电极，该栅极电极被配置在所述沟槽内，通过所述栅极绝缘膜与所述半导体基板绝缘，所述半导体基板具有：第一导电型的源极区域，在所述半导体基板的所述上表面露出，与所述栅极绝缘膜相接；第二导电型的主体区域，在所述源极区域的下侧与所述栅极绝缘膜相接；第一导电型的漂移区域，在所述主体区域的下侧与所述栅极绝缘膜相接，通过所述主体区域从所述源极区域分离；第二导电型的底部区域，在所述沟槽的底面与所述栅极绝缘膜相接；以及第二导电型的连接区域，在所述沟槽的侧面与所述栅极绝缘膜相接，连接所述主体区域与所述底部区域，所述沟槽的侧面以随着从下侧向上侧而所述沟槽的宽度变宽的方式倾斜，所述沟槽的所述侧面具有第一侧面和位于所述第一侧面的下侧的第二侧面，所述第二侧面的倾斜角度比所述第一侧面的倾斜角度大，所述主体区域与所述漂移区域的界面在所述第一侧面与所述栅极绝缘膜相接。
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