[发明专利]存储器的参考电流控制电路在审
| 申请号： | 201811211698.6 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109192235A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器的参考电流控制电路，包括：主阵列，包括至少一个存储单元，所述至少一个存储单元的控制栅上施加有第一控制栅电压；参考阵列，包括至少一个参考存储单元，所述至少一个参考存储单元的控制栅上施加有第二控制栅电压；还包括：控制栅电压生成电路，适于调节所述第二控制栅电压低于第一控制栅电压，且调节所述存储器的读电流窗口。所述控制栅电压生成电路通过向所述存储单元和所述参考存储单元输出不同的控制栅电压，可以降低所述至少一个参考存储单元输出的参考电流，从而实现较大的读电流窗口，提高了所述存储器的读取精度。 | ||
| 搜索关键词： | 控制栅电压 参考存储单元 存储器 参考电流 存储单元 控制电路 生成电路 控制栅 读取 施加 参考阵列 输出 主阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的参考电流控制电路，包括：主阵列，包括至少一个存储单元，所述至少一个存储单元的控制栅上施加有第一控制栅电压；参考阵列，包括至少一个参考存储单元，所述至少一个参考存储单元的控制栅上施加有第二控制栅电压；其特征在于，还包括：控制栅电压生成电路，适于调节所述第二控制栅电压低于第一控制栅电压，且调节所述存储器的读电流窗口。
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