[发明专利]一种三维ZnO阵列聚吡咯分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811212334.X | 申请日： | 2018-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN111044595A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 许鑫华;张茜;贾丽敏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48;G01N27/30 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三维ZnO阵列聚吡咯分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用，利用以金为导电基底，以ZnO为基础材料，在导电基底上直接生长ZnO三维阵列结构，并通过电聚合方法，以对氨基苯磺酰胺为模板分子，制备分子印迹聚吡咯纳米阵列，结合电化学工作站构建基于金基底的ZnO阵列分子印迹传感器。通过ZnO三维纳米阵列结构的构建，增加电极材料的比表面积及活性位点，从而提高检测灵敏度，降低检测限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 zno 阵列 吡咯 分子 印迹 电化学传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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