[发明专利]AMOLED补偿电路的电容结构及其容量的提升方法在审
| 申请号： | 201811212928.0 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109346459A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林志峥 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及AMOLED技术领域，特别涉及一种AMOLED补偿电路的电容结构及其容量的提升方法；所述电容结构包括从下往上依次设置的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二金属层；所述电容结构的电容间距等于第一绝缘层的厚度。在不增加制程的前提下，利用氧化物半导体层(例如：IGZO)作为蚀刻阻挡层，去除现有补偿电路电容绝缘层中的第二绝缘层膜层，在电容区域形成半导体层与第二金属层直接搭接的图案作为上电极，减小电容的绝缘层厚度，进而实现单位面积电容量的提升，有利于实现更宽的制程条件和更高分辨率AMOLED显示技术。 | ||
| 搜索关键词： | 电容结构 绝缘层 补偿电路 第二金属层 半导体层 电容 单位面积电容量 氧化物半导体层 第一金属层 电容绝缘层 蚀刻阻挡层 电容区域 高分辨率 绝缘层膜 依次设置 制程条件 电极 玻璃层 搭接 减小 制程 去除 图案 | ||
【主权项】：
1.一种AMOLED补偿电路的电容结构，其特征在于，包括从下往上依次设置的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二金属层；所述电容结构的电容间距等于第一绝缘层的厚度。
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