[发明专利]提高硅表面纳米森林中金-金热压键合强度的方法有效
| 申请号： | 201811213308.9 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109346401B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王云翔;冒薇;段仲伟;马冬月;姚园;许爱玲 | 申请（专利权）人： | 苏州美图半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/02;H01L21/3205;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高硅表面纳米森林中金‑金热压键合强度的方法，其包括如下步骤：步骤1、提供第一晶圆并在所述第一晶圆上制备所需的纳米森林结构，所述纳米森林结构包括若干锥形纳米体；步骤2、在上述第一晶圆的纳米森林结构上制备所需的针形金属层，所述针形金属层覆盖纳米森林结构上；步骤3、提供第二晶圆并在所述第二晶圆上制备所需的板形金属层；步骤4、将第二晶圆的板形金属层对准置于第一晶圆的针形金属层上，使得板形金属层与针形金属层接触；对板形金属层与针形金属层进行单步热压键合，以得到第一晶圆与第二晶圆的晶圆级键合。本发明能有效提高金‑金键合强度，保证了真空封装器件的稳定性和气密性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 表面 纳米 森林 热压 强度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高硅表面纳米森林中金‑金热压键合强度的方法，其特征是，所述方法包括如下步骤：步骤1、提供第一晶圆(1)并在所述第一晶圆(1)上制备所需的纳米森林结构，所述纳米森林结构包括若干锥形纳米体(3)；步骤2、在上述第一晶圆(1)的纳米森林结构上制备所需的针形金属层(4)，所述针形金属层(4)覆盖纳米森林结构上；步骤3、提供第二晶圆(5)并在所述第二晶圆(5)上制备所需的板形金属层(7)；步骤4、将第二晶圆(5)的板形金属层(7)对准置于第一晶圆(1)的针形金属层(4)上，使得板形金属层(7)与针形金属层(4)接触；对板形金属层(7)与针形金属层(4)进行单步热压键合，以得到第一晶圆(1)与第二晶圆(5)的晶圆级键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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