[发明专利]磁阻随机存取存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811213731.9 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109713122A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朴容星;金佑塡;朴正宪;吴世忠;李俊明;赵显 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性层 隧道势垒层 隧道势垒 第一电极 上表面 基板 磁阻随机存取存储器 电阻率分布 第二电极 堆叠 制造 平行 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁阻随机存取存储器件的方法，该方法包括：在基板的上表面上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成隧道势垒结构，所述隧道势垒结构包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，所述第一隧道势垒层和所述第二隧道势垒层顺序地堆叠在所述第一磁性层上并沿着平行于所述基板的所述上表面的水平方向具有彼此不同的电阻率分布；在所述隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在所述第二磁性层上形成第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811213731.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
