[发明专利]具有垂直沟道的半导体装置在审
| 申请号： | 201811214332.4 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109817702A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金信惠;吴暻锡;曹九荣;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括基底和从基底突出的多个半导体鳍。源区/漏区设置在半导体鳍中的相应的半导体鳍的顶部处，均具有比半导体鳍中的单独的半导体鳍的宽度大的宽度。栅电极设置在半导体鳍的侧表面上并且位于源区/漏区下。绝缘层接触半导体鳍的侧表面并且覆盖栅电极的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍 半导体装置 侧表面 基底 漏区 源区 绝缘层 覆盖栅电极 垂直沟道 上表面 栅电极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；多个半导体鳍，从所述基底突出；源区/漏区，设置在所述多个半导体鳍中的相应的半导体鳍的顶部处并且均具有比所述多个半导体鳍中的单独的半导体鳍的宽度大的宽度；栅电极，设置在所述多个半导体鳍的侧表面上并且在所述源区/漏区下；以及绝缘层，接触所述多个半导体鳍的所述侧表面并且覆盖所述栅电极的上表面。
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