[发明专利]一种多电极CMUT单元及多频式电容微机械超声换能器有效
申请号: | 201811214608.9 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109530194B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 栗大超;张小丽 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | B06B1/02 | 分类号: | B06B1/02 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 杜文茹 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种多电极CMUT单元及多频式电容微机械超声换能器,多电极CMUT单元有由下而上形成的硅底座、绝缘层、空腔、振动薄膜、由上电极和绝缘薄膜,上电极是由圆电极和第一环形上电极和第二环形上电极构成,之间相隔有第一间隔和第二间隔,硅底座的上端面一体形成有向上凸起的对应第一间隔和第二间隔的第一凸起环和第二凸起环。超声换能器是由若干个多电极CMUT单元构成的阵列结构,各多电极CMUT单元中硅底座一体构成整体地电极,各多电极CMUT单元中的圆电极串联构成第一正电极,各多电极CMUT单元中的第一环形上电极串联构成第二正电极,各多电极CMUT单元中的第二环形上电极串联构成第三正电极。本发明能够工作在多种频率模式下。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 cmut 单元 多频式 电容 微机 超声 换能器 | ||
【主权项】:
1.一种多电极CMUT单元,包括有由下而上形成的硅底座(10)、绝缘层(6)、空腔(7)、振动薄膜(5)和上电极,其特征在于,所述上电极上面还设置有绝缘薄膜(4),所述上电极包括有分布在所述振动薄膜(5)上的:位于中心的圆电极(1)和位于圆电极(1)外侧且与所述圆电极(1)同圆心的第一环形上电极(2)和第二环形上电极(3),其中,所述圆电极(1)与第一环形上电极(2)之间相隔有第一间隔(11),所述第一环形上电极(2)与所述第二环形上电极(3)之间相隔有第二间隔(12),所述硅底座(10)的上端面还一体形成有向上凸起且同圆心的第一凸起环(8)和第二凸起环(9),所述第一凸起环(8)对应所述第一间隔(11),所述第二凸起环(9)对应所述第二间隔(12)。
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