[发明专利]一种基于铒、氟共掺杂ZnO薄膜的电致发光器件及制备方法有效
| 申请号： | 201811214982.9 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109509819B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;陈金鑫;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 韩聪 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铒、氟共掺杂ZnO薄膜的电致发光器件及其制备方法和发光方法，属于光电子技术领域。所述的电致发光器件，包括外延硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，所述的发光层为铒和氟共掺杂的ZnO薄膜。本发明的电致发光器件在6～10V的正向偏压(即Au欧姆接触电极接负电压，ITO透明电极层接正电压)下可发光，且电致发光谱中有且仅有位于可见光区和红外光区的铒离子的特征发光峰，无任何ZnO基质相关的发光峰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 zno 薄膜 电致发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于铒、氟共掺杂ZnO薄膜的电致发光器件，包括硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，其特征在于，所述的发光层为铒、氟共掺杂的ZnO薄膜。
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