[发明专利]封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件在审
| 申请号： | 201811217950.4 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109678105A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | G·梅茨格-布吕克尔;A·德厄;U·赫科勒;J·斯特拉塞;A·沃瑟 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。 | ||
| 搜索关键词： | 子步骤 覆盖层 第一层 开口 空腔 沉积 衬垫材料层 封闭元件 多次重复 层厚度 封闭 邻接 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种用于封闭通向空腔(220)的进入开口(230)的方法(100)，包括以下步骤：提供(120)层布置(221)，所述层布置(221)具有第一层结构(210)和与所述第一层结构(210)邻接地布置的空腔(220)，其中，所述第一层结构(210)具有通向所述空腔(220)的进入开口(230)，执行(140)CVD层沉积，以便在具有所述进入开口(230)的所述第一层结构(210)上形成具有层厚度(D240)的第一覆盖层(240)，和执行(160)具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积，以便在所述第一覆盖层(240)上形成第二覆盖层(250)，其中，在所述第一子步骤中，在所述第一覆盖层(240)上实现衬垫材料层(250)的沉积，其中，在所述第二子步骤中，在所述进入开口(230)的区域(230‑A)中实现所述衬垫材料层(250)的以及所述第一覆盖层(240)的局部背向溅射，并且其中，所述第一子步骤和所述第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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