[发明专利]一种氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811218197.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109762275B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赵小佳;李超群;朱廷春;任宁;韩晓;赵红生;胡俊平 | 申请（专利权）人： | 邯郸学院 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K3/04;C08J5/18 |
| 代理公司： | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人： | 赵红强 |
| 地址： | 056005 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种新型氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜的制备方法，该复合介电薄膜以PVDF与氟化导电粒子混合流延成膜，其中氟化导电粒子的质量百分比为0.1％‑2.0％，PVDF的质量百分比为98.0％‑99.9％。该复合介电薄膜是具有较高介电常数且较低介电损耗的高储能新型介电薄膜材料。通过调节氟化导电粒子添加的比例，复合介电薄膜的介电常数可以达到35以上，同时介电损耗依然保持在0.06以下，储能密度为4‑6J/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 氟化 导电 粒子 pvdf 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的复合介电薄膜包括氟化导电粒子填料、PVDF，氟化导电粒子均匀分散在PVDF基体中；其中所述的PVDF基体的质量百分比为98.0％‑99.9％，所述的氟化导电粒子的质量百分比为0.1％‑2.0％，所述的氟化导电粒子填料包括氟化石墨、氟化石墨烯、氟化碳纳米管、氟化炭黑中的一种。
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