[发明专利]一种γ-TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 201811218430.5 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109207939B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 魏东博;张平则;赵瑞博;李淑琴;姚正军;马振宇 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/02;C23C14/16;C23C8/36;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种γ‑TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层及其制备方法，该涂层包括自下而上依次设在基体上的NiCrAlSi沉积层、等离子渗氧陶瓷膜、CeO2掺杂YSZ隔热层。其制备方法为：对γ‑TiAl合金基体表面进行预处理；利用等离子刻蚀技术在基体表面形成峰形阵列微结构；利用多弧等离子镀技术在基体上进行NiCrAlSi沉积层；采用等离子渗氧的方法在表面形成一层致密的等离子渗氧陶瓷薄膜；采用多弧等离子镀技术在上述所得涂层上及进行CeO2掺杂YSZ沉积。本发明提高了γ‑TiAl合金与NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层的结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 等离子渗 制备 等离子镀 合金表面 沉积层 等离子刻蚀技术 预处理 致密 阵列微结构 表面形成 合金基体 基体表面 陶瓷薄膜 隔热层 陶瓷膜 峰形 沉积 合金 | ||
【主权项】：
1.一种γ‑TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤a，对γ‑TiAl合金基体表面进行预处理；步骤b，利用等离子刻蚀技术在经步骤a处理后的γ‑TiAl合金基体表面形成峰形阵列微结构；步骤c，利用多弧等离子镀技术在经步骤b处理后的γ‑TiAl合金基体表面形成NiCrAlSi沉积层；步骤d，采用等离子渗氧的方法在步骤c得到的NiCrAlSi沉积层表面形成一层致密的等离子渗氧陶瓷膜；步骤e，采用多弧等离子镀技术在步骤d得到的等离子渗氧陶瓷膜上进行CeO2掺杂YSZ沉积，形成CeO2掺杂YSZ隔热层。
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