[发明专利]基于P3HT纳米线的三端仿生突触电子器件在审
| 申请号： | 201811219439.8 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109473548A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 徐文涛;陈一航;韩弘 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;B82Y10/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于P3HT纳米线的三端仿生突触电子器件。通过设计类场效应管结构的P3HT纳米线神经突触仿生电子器件来实现神经信号在突触间传递的模拟。通过对所述P3HT纳米线突触电子器件进行电学表征，证明所述器件具有的突触短时程可塑性与部分突触功能，其在构建具有模式识别、逻辑推理、归纳总结、自主学习等功能的新型计算系统中具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 突触 电子器件 纳米线 三端 逻辑推理 场效应管 电学表征 计算系统 模式识别 神经信号 神经突 可塑性 构建 归纳 传递 学习 | ||
【主权项】：
1.一种基于P3HT纳米线的三端仿生突触电子器件，所述神经突触仿生电子器件由栅极、源极/漏极、离子胶和半导体层组成。
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