[发明专利]非挥发性存储器结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器结构及其制造方法，其中该非挥发性存储器结构的制造方法包括：在基底内形成瓶状沟槽，其中所述瓶状沟槽具有邻接所述基底表面的颈部与连接所述颈部的瓶身部，所述颈部的宽度小于所述瓶身部的宽度；进行第一离子注入制作工艺，以于所述瓶身部的底部的所述基底内形成源极区；在所述瓶状沟槽的内表面形成电荷存储层；在所述瓶状沟槽内形成瓶状栅极；以及进行第二离子注入制作工艺，以于所述颈部旁的所述基底内形成漏极区。