[发明专利]一种低成本耐腐蚀的单晶磁粉及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201811220352.2 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109273184B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 卢赐福;周庆;肖方明 申请(专利权)人: 广东省稀有金属研究所
主分类号: H01F1/09 分类号: H01F1/09;H01F41/00;C30B29/38;C30B1/10
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 史晶晶
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种低成本耐腐蚀的单晶磁粉及其制备方法与应用,属稀土永磁材料技术领域。该磁粉的组成成分为(Sm1‑αR1α)aT100‑a‑b‑c‑d‑vM1bCucZndNv。R1为La、Ce、Pr、Nd和Y中的至少一种,0.1α0.6;5≤a≤20;T为铁或者为铁和钴;M1为Si、Al、Ni、Ti、V、Cr、Zr、Hf、Nb、Ta、Mn、Mo和W中至少一种,0.1≤b≤5;0.1≤c≤5;0.1≤d≤20;0.5≤v≤20。上述磁粉成本较低并具有较高的磁化强度、矫顽力、抗氧化性和耐蚀性。制备包括:制备氮化物原料磁粉,然后进行镀锌处理。该方法简单,所得磁粉可用于制备各向异性粘结永磁材料等。
搜索关键词: 一种 低成本 腐蚀 单晶磁粉 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种低成本耐腐蚀的单晶磁粉,其特征在于,所述低成本耐腐蚀的单晶磁粉以原子百分比表示的组成成分为:(Sm1‑αR1α)aT100‑a‑b‑c‑d‑vM1bCucZndNv;其中,R1为La、Ce、Pr、Nd和Y中的至少一种,0.1<α<0.6;5≤a≤20;T为铁或者为铁和钴;M1为Si、Al、Ni、Ti、V、Cr、Zr、Hf、Nb、Ta、Mn、Mo和W中至少一种,0.1≤b≤5;0.1≤c≤5;0.1≤d≤20;0.5≤v≤20。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省稀有金属研究所,未经广东省稀有金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811220352.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top