[发明专利]一种带栅压反馈的宽频带高增益RGC型跨阻放大器在审
| 申请号： | 201811222149.9 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109474244A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 谢生;王续霏;毛陆虹 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F1/34;H03F3/68 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种带栅压反馈的宽频带高增益RGC型跨阻放大器，第一～第二MOS管的栅极连接输入电流，第一～第二MOS管的漏极连接第四MOS管的栅极，第一MOS管的源极连接电源，第二MOS管的源极接地，第四MOS管的源极与输入电流通过第一电阻接地，第三MOS管的漏极、第四MOS管的漏极和第五MOS管的栅极通过第五电阻到电压输出端，第三MOS管的栅极接地，源极连接电源VDD，第五～第七MOS管的源极接地，第五MOS管的漏极连接第六MOS管的栅极，漏极还通过第二电阻连接电源VDD，第六MOS管的漏极连接第七MOS管的栅极，漏极还通过第三电阻连接电源VDD，第七MOS管的漏极构成电压输出端VOUT，漏极还通过第四电阻连接电源VDD。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 电阻连接电源 电压输出端 跨阻放大器 输入电流 源极接地 源极连接 高增益 宽频带 栅压 电源 电阻接地 栅极接地 栅极连接 反馈 电阻 源极 | ||
【主权项】：
1.一种带栅压反馈的宽频带高增益RGC型跨阻放大器，包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)和第七MOS管(M7)，其特征在于，所述第一MOS管(M1)和第三MOS管(M3)为PMOS管，第二MOS管(M2)～第七MOS管(M7)为NMOS管，其中，所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的栅极连接输入电流IPD，第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的漏极共同连接第四MOS管(M4)的栅极，第一MOS管(M1)的源极连接电源VDD，第二MOS管(M2)的源极接地，所述第四MOS管(M4)的源极与输入电流IPD共同通过第一电阻(R1)接地，第三MOS管(M3)的漏极、第四MOS管(M4)的漏极以及第五MOS管(M5)的栅极共同通过第五电阻(R5)到电压输出端VOUT，所述第三MOS管(M3)的栅极接地，源极连接电源VDD，所述第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)和第七MOS管(M7)的源极接地，所述第五MOS管(M5)的漏极连接第六MOS管(M6)的栅极，第五MOS管(M5)的漏极还通过第二电阻(R2)连接电源VDD，所述第六MOS管(M6)的漏极连接第七MOS管(M7)的栅极，第六MOS管(M6)的漏极还通过第三电阻(R3)连接电源VDD，所述第七MOS管(M7)的漏极构成电压输出端VOUT，第七MOS管(M7)的漏极还通过第四电阻(R4)连接电源VDD。
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