[发明专利]一种可视化的表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201811223002.1 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109342389A 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 金名亮;张鸽;卢涵;水玲玲;周国富 申请(专利权)人: 肇庆市华师大光电产业研究院
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 任重
地址: 526040 广东省肇庆市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种可视化的表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤:S1:在带有衬底的单晶硅片上旋涂一层光刻胶;S2:采用光刻技术在单晶硅片上制备光刻胶图形阵列;S3:进行图案化转移,将光刻胶图形阵列转移到衬底上;S4:移除多余光刻胶,得到带有二维硅微结构的单晶硅片;S5:将S4得到的单晶硅片放入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中进行置换反应,制备得到球状银微米颗粒阵列,即得到可视化的表面增强拉曼散射基底。本发明提供的制备方法工艺简单、生产成本低,易操作;制备得到的表面增强拉曼散射基底的形貌和尺寸可控,并且具有良好的重复性和稳定性,导电性能好,在光学显微镜下可视。
搜索关键词: 表面增强拉曼散射 单晶硅片 基底 制备 可视化 光刻胶图形阵列 制备方法和应用 光刻胶 衬底 形貌 制备方法工艺 光学显微镜 混合溶液中 生产成本低 尺寸可控 导电性能 光刻技术 硅微结构 微米颗粒 置换反应 氢氟酸 图案化 硝酸银 二维 放入 可视 上旋 移除
【主权项】:
1.一种可视化的表面增强拉曼散射基底的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:在带有衬底的单晶硅片上旋涂一层光刻胶;S2:采用光刻技术在单晶硅片上制备光刻胶图形阵列;S3:进行图案化转移,将光刻胶图形阵列转移到衬底上;S4:移除多余光刻胶,得到带有二维硅微结构的单晶硅片;S5:将S4得到的单晶硅片放入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中进行置换反应,制备得到球状银微米颗粒阵列,即得到可视化的表面增强拉曼散射基底;所述混合溶液中,氢氟酸的浓度为10‑8~23 mol/L,硝酸银的浓度为10‑8~12 mol/L。
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