[发明专利]一种可视化的表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用在审
申请号: | 201811223002.1 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN109342389A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 金名亮;张鸽;卢涵;水玲玲;周国富 | 申请(专利权)人: | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 任重 |
地址: | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种可视化的表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤:S1:在带有衬底的单晶硅片上旋涂一层光刻胶;S2:采用光刻技术在单晶硅片上制备光刻胶图形阵列;S3:进行图案化转移,将光刻胶图形阵列转移到衬底上;S4:移除多余光刻胶,得到带有二维硅微结构的单晶硅片;S5:将S4得到的单晶硅片放入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中进行置换反应,制备得到球状银微米颗粒阵列,即得到可视化的表面增强拉曼散射基底。本发明提供的制备方法工艺简单、生产成本低,易操作;制备得到的表面增强拉曼散射基底的形貌和尺寸可控,并且具有良好的重复性和稳定性,导电性能好,在光学显微镜下可视。 | ||
搜索关键词: | 表面增强拉曼散射 单晶硅片 基底 制备 可视化 光刻胶图形阵列 制备方法和应用 光刻胶 衬底 形貌 制备方法工艺 光学显微镜 混合溶液中 生产成本低 尺寸可控 导电性能 光刻技术 硅微结构 微米颗粒 置换反应 氢氟酸 图案化 硝酸银 二维 放入 可视 上旋 移除 | ||
【主权项】:
1.一种可视化的表面增强拉曼散射基底的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:在带有衬底的单晶硅片上旋涂一层光刻胶;S2:采用光刻技术在单晶硅片上制备光刻胶图形阵列;S3:进行图案化转移,将光刻胶图形阵列转移到衬底上;S4:移除多余光刻胶,得到带有二维硅微结构的单晶硅片;S5:将S4得到的单晶硅片放入氢氟酸和硝酸银的混合溶液中进行置换反应,制备得到球状银微米颗粒阵列,即得到可视化的表面增强拉曼散射基底;所述混合溶液中,氢氟酸的浓度为10‑8~23 mol/L,硝酸银的浓度为10‑8~12 mol/L。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肇庆市华师大光电产业研究院,未经肇庆市华师大光电产业研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811223002.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。