[发明专利]一种非真空条件下让可升华材料从本体转移到基底上制备薄膜的方法有效
| 申请号： | 201811223018.2 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109411612B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 谢国华;杨楚罗;相烨鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/56;H01L51/42;H01L51/50 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣;官群 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非真空条件下让可升华材料从本体转移到基底上制备薄膜的方法，所述可升华材料分子量≤1000克/摩尔，制备方法包括以下步骤：将可升华材料在本体表面制膜或者制成薄片，然后将该本体上含有上述可升华材料的一面与基底需要制膜的一面对准，在非真空条件下对本体未接触可升华材料一面进行加热，确保可升华材料转移至基底，在基底材料表面制备得到薄膜。采用本发明所述方法能够在非真空条件下制备单层或连续多层薄膜，薄膜厚度可控，解决了现有技术中在多层薄膜器件制备过程中采用溶液加工方法存在正交溶剂选择困难的问题以及采用真空蒸镀存在的成本较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 条件下 升华 材料 本体 转移 基底 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非真空条件下让可升华材料从本体转移到基底上制备薄膜的方法，其特征在于，所述可升华材料分子量≤1000克/摩尔，具体制备方法包括以下步骤：将可升华材料在本体表面制膜或者制成薄片，然后将该本体上含有上述可升华材料的一面与基底需要制膜的一面对准，在非真空条件下对本体进行加热，加热温度低于可升华材料的分解温度，加热时间为10～1000秒，确保可升华材料转移至基底，在基底材料表面制备得到薄膜。
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