[发明专利]自旋矩纳米振荡器及基于该振荡器的太赫兹信号发生器有效
申请号: | 201811223046.4 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN109256656B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 康仕寿;钟海;乔士柱;颜世申 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01S1/02 | 分类号: | H01S1/02 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 李圣梅 |
地址: | 250100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了自旋矩纳米振荡器,包括自上至下依次布置的合成反铁磁结构、非磁性间隔层、磁性固定层;磁性固定层,其接收非自旋极化的电流,转化并输出为自旋极化的电流;合成反铁磁结构,其接收来自磁性固定层的自旋极化电流输出,受自旋转移矩效应而产生磁矩进动,进而输出振荡信号;非磁性间隔层,其位于磁性固定层与合成反铁磁结构之间,用于隔开两磁性层之间的磁耦合。本申请的太赫兹信号发生器在通以合适大小的电流且不需要外加磁场的情况下,即可输出THz信号。 | ||
搜索关键词: | 自旋 纳米 振荡器 基于 赫兹 信号发生器 | ||
【主权项】:
1.自旋矩纳米振荡器,其特征是,包括自上至下依次布置的合成反铁磁结构、非磁性间隔层、磁性固定层;磁性固定层,其接收非自旋极化的电流,转化并输出为自旋极化的电流;合成反铁磁结构,其接收来自磁性固定层的自旋极化电流输出,受自旋转移矩效应而产生磁矩进动,进而输出振荡信号;非磁性间隔层,其位于磁性固定层与合成反铁磁结构之间,用于隔开两磁性层之间的磁耦合。
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