[发明专利]MEMS与IC装置的单块整合有效
| 申请号： | 201811223242.1 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109712959B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | H·坎帕内拉皮内达;A·K·史塔佩尔;钱优;S·波伊卡伊尔萨特厄希;J·C·马灵;拉盖·库马 | 申请（专利权）人： | 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/82 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及MEMS与IC装置的单块整合，揭示一种具有微机电系统(MEMS)与集成电路(IC)的整合型单块装置及其形成方法。该单块装置包括在该IC上方形成有IC组件及MEMS的衬底。该衬底上方形成在接垫阶中具有IC互连垫的后段(BEOL)介电质。具有所述IC互连垫的该BEOL介电质上方形成MEMS。该MEMS包括MEMS堆栈，该MEMS堆栈具有主动MEMS层、及在该主动MEMS层的顶端与底端表面上形成的图案化顶端与底端MEMS电极。形成至少部分地穿过该主动MEMS层的IC MEMS接触贯孔。IC MEMS接触形成于该主动MEMS层中的所述IC MEMS接触贯孔中，并且组配成耦接至所述IC互连垫。 | ||
| 搜索关键词： | mems ic 装置 整合 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包含：具有第一表面与第二表面的衬底；布置于该衬底的该第一表面上的集成电路(IC)组件；布置于该衬底的该第一表面上的后段(BEOL)介电质，该BEOL介电质包覆该IC组件，其中，该BEOL介电质包含：具有接触与互联线用于将该电路组件互连的多个层间介电(ILD)阶，以及位在最上ILD阶上的接垫阶，该接垫阶包含IC互连垫；以及布置于具有该IC互连垫的该BEOL介电质的顶端上方的微机电系统(MEMS)，其中，该MEMS包含：MEMS堆栈，该MEMS堆栈具有顶端MEMS表面与底端MEMS表面，其中，该MEMS堆栈包括：具有顶端主动MEMS层表面及底端主动MEMS层表面的主动MEMS层，布置于该顶端主动MEMS层表面上的图案化顶端MEMS电极，以及布置于该底端主动MEMS层表面上的图案化底端MEMS电极，以及IC MEMS接触，其中，该IC MEMS接触内衬至少部分地穿过该主动MEMS层而布置的IC MEMS接触贯孔，该IC MEMS接触组配成耦接至该IC互连垫。
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