[发明专利]低噪声放大器芯片封装结构和卫星高频头电路有效
| 申请号： | 201811223998.6 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109494204B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 林水洋;宋颖;徐乃昊;周智;何德宽;王志高 | 申请（专利权）人： | 隔空微电子（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H04N5/50;H04N7/20 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 冯振华 |
| 地址： | 510635 广东省广州市天河区高新技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低噪声放大器芯片封装结构和一种卫星高频头电路，所述封装结构包括：导线框架，包括裸片布局区和至少六个引脚，所述至少六个引脚围绕所述裸片布局区放置；第一裸片和第二裸片，置于所述裸片布局区，所述裸片布局区与至少两个引脚电连接，所述第一裸片包括第一FET结构，所述第二裸片包括第二FET结构，且所述第一FET结构和第二FET结构的源极均通过导线电连接至所述裸片布局区，所述第一FET结构和第二FET结构的栅极和漏极分别通过导线电连接至与所述裸片布局区隔离的不同的引脚。所述低噪声放大器芯片封装结构能够提高卫星高频头电路的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 芯片 封装 结构 卫星 高频头 电路 | ||
【主权项】：
1.一种低噪声放大器芯片封装结构，其特征在于，包括：导线框架，包括裸片布局区和至少六个引脚，所述至少六个引脚围绕所述裸片布局区放置；第一裸片和第二裸片，置于所述裸片布局区，所述裸片布局区与至少两个引脚电连接，所述第一裸片包括第一FET结构，所述第二裸片包括第二FET结构，且所述第一FET结构和第二FET结构的源极均通过导线电连接至所述裸片布局区，所述第一FET结构和第二FET结构的栅极和漏极分别通过导线电连接至与所述裸片布局区隔离的不同的引脚。
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