[发明专利]一种三态门电路在审
| 申请号： | 201811224907.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109547012A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 孙殷 | 申请（专利权）人： | 杭州展虹科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三态门电路。一种三态门电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一反相器。本发明所需要的MOS管的数目要比现有技术的少。 | ||
| 搜索关键词： | 三态门电路 反相器 | ||
【主权项】：
1.一种三态门电路，其特征在于：包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一反相器；所述第一PMOS管的栅极接所述第一反相器的输出端和所述第一NMOS管的栅极，漏极接所述第一NMOS管的漏极并作为三态门的输出端OUT，源极接电源电压VCC；所述第一NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的漏极并作为三态门的输出端OUT，源极接所述第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极接输入端B，漏极接所述第一NMOS管的源极，源极接地；所述第一反相器的输入端接输入端A，输出端接所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极。
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