[发明专利]一种高质量Cu2

摘要

本发明公开了一种高质量Cu2Se(1‑x)Ax晶体的生长方法。该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1‑x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。本发明中提供的Cu2Se(1‑x)Ax晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、所生长的晶体质量高、尺寸大等优点。

主权项

1.一种高质量Cu2Se(1‑x)Ax晶体的生长方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1‑x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。