[发明专利]一种金颗粒增强型石墨烯光探测器及制备方法在审
申请号: | 201811225530.0 | 申请日: | 2018-10-21 |
公开(公告)号: | CN109545865A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 毛陆虹;胡跃文 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 杜文茹 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种金颗粒增强型石墨烯光探测器及制备方法,石墨烯光探测器包括SiO2‑Si衬底,SiO2‑Si衬底表面中部吸附有若干金颗粒,在吸附有金颗粒的衬底的表面部分上覆盖有石墨烯,在石墨烯表面的两端分别设置有金属电极。石墨烯光探测器的制作方法,包括:清洗衬底;制作金颗粒;金颗粒转移;石墨烯转移;光刻并通过氧离子刻蚀实现石墨烯图形化;制作金属电极。本发明的一种金颗粒增强型石墨烯光探测器及制备方法,采用金膜超声的方式制作金颗粒,简化金颗粒制作工艺,降低实验难度和成本;通过石墨烯覆盖金颗粒,制作复合型探测沟道,增强光吸收,提高石墨烯光探测器的探测效率。 | ||
搜索关键词: | 石墨烯 金颗粒 光探测器 增强型 衬底 制备 制作 金属电极 吸附 衬底表面 实验难度 探测效率 制作工艺 光吸收 图形化 氧离子 超声 沟道 光刻 金膜 刻蚀 覆盖 清洗 探测 | ||
【主权项】:
1.一种金颗粒增强型石墨烯光探测器,包括SiO2‑Si衬底(1),其特征在于,所述SiO2‑Si衬底(1)表面中部吸附有若干金颗粒(2),在吸附有金颗粒(2)的衬底(1)的表面部分上覆盖有石墨烯(3),在石墨烯(3)表面的两端分别设置有金属电极(4)。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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