[发明专利]一种基于掩模曝光法的大面积液晶区域定向方法及其系统在审
申请号: | 201811226681.8 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109164684A | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 张心正;宋筱;高少华;张玉娇;许京军 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/42;G02F1/1337 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300071 天津市南开区卫*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于掩模曝光法的大面积面外液晶区域定向方法及其系统,本方法使用掩模曝光系统构建聚合物微结构;聚合物微可由不同区域构成,每个区域的特征尺寸在几十微米量级,且区域内的液晶定向均匀;聚合物微结构的总体尺寸可从几十平方微米量级到平方分米量级,从而满足大面积加工要求,并且可以随意调整基板表面的加工范围和结构设计。本发明定向方法及系统操作简单,不需要使用机械或光诱导的方式在基板上形成定向诱导膜,能够在微米量级区域实现液晶的自定向,定向方向可以微区域调控,有利于液晶器件的微型化和三维的液晶结构定向,可广泛的推广应用。 | ||
搜索关键词: | 微米量级 掩模曝光 聚合物微结构 液晶区域 微型化 调整基板 定向诱导 方法使用 系统操作 系统构建 液晶定向 液晶结构 液晶器件 聚合物 光诱导 微区域 自定向 基板 加工 液晶 三维 调控 | ||
【主权项】:
1.一种基于掩模曝光法的大面积液晶区域定向方法,其特征在于,所述定向方法通过掩模板曝光系统构建聚合物微结构,在聚合物微结构中不同区域内实现液晶分子自定向;所述大面积结构尺寸达到1cm*1cm及以上;所述基于掩模曝光法的大面积液晶区域定向方法包括以下步骤:步骤1、制备具有任意一维、二维或三维几何形状图案的振幅型掩模板;步骤2、制备掩模曝光法需要的样品,所述样品由基底材料及其上涂覆的光刻胶组成;步骤3、利用掩模曝光法使用掩模板对样品进行曝光;步骤4、对曝光后的样品进行后处理得到聚合物微结构,所述聚合物微纳结构是一维结构、二维结构或三维结构,且聚合物的厚度大于2.0微米;步骤5、向聚合物微结构中注入液晶,液晶形成自发定向。
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