[发明专利]栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811227037.2 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109545760B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张卫;孙清清;黄伟;察明扬 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/10;H01L29/43;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体技术领域，本发明为栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件及其制备方法。其器件包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极；栅极为掺杂多晶硅，方阻在20~40Ω/□之间。本发明利用掺杂的多晶硅作为栅，势垒高度高，可获得比传统Ni/Au肖特基栅更小的栅漏电，降低射频功率器件的功耗，提高效率。另外，掺杂的多晶硅栅有较低的Rg，起到镇流电阻的作用。本发明可用于多指栅器件AlGaN/GaN HEMTs，可通过调整Lg长度，达到优化Wg长度的目的，从而有效改善器件的散热，也可应用于AlGaN/GaN MIS‑HEMTs，多晶硅栅可被偏置更宽的V |
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| 搜索关键词： | 栅镇流 结构 射频 algan gan hemts 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件，包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极，其特征在于，所述栅极为掺杂多晶硅，其方块电阻在20~40Ω/□之间。
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