[发明专利]一种调节表面等离子体共振频率的方法

摘要

本发明涉及一种调节表面等离子体共振频率的方法，该方法是在ITO薄膜的上表面和下表面之间施加恒定电场，通过施加的恒定电场调节ITO材料表面的载流子浓度，ITO材料的表面等离子体频率与该材料表面的载流子浓度决定，利用对ITO材料的载流子浓度的调节间接改变重掺杂ITO材料的改变表面等离子体共振频率，最终实现对ITO材料表面等离子体共振频率实时动态调节的目的。本发明提出的这种方法简单且对表面等离子体共振频率能够实时动态调节，解决现有技术中对表面等离子体共振频率不能实时动态调节、调节技术复杂的难题。

主权项

1.一种调节表面等离子体共振频率的方法，包括：负电极，Si衬底，Si衬底表面自然氧化层SiO2层，PECVD沉积在ITO薄膜之外区域的SiO2层，ITO规则周期图形薄膜层，ITO薄膜表面正电极，其特征在于：这种调节表面等离子体的方法具体包括Si衬底、ITO薄膜、恒定电场、Au电极、Ni/Au电极，通过在Au电极和Ni/Au电极施加恒定电场，使恒定电场施加在ITO薄膜上表面和下表面之间，对恒定电场进行调节实现对ITO材料表面等离子体共振频率实时动态调节的目的，所述ITO薄膜制备在Si衬底表面，采用电子束光刻方法将ITO薄膜制作成具有规则的周期图形结构，所述规则周期图形为三角形，四边形，五边形，六边形，圆形，在Si衬底表面所述规则周期图形结构的剩余区域采用PECVD方法沉积SiO2薄膜，沉积的SiO2薄膜厚度略低于规则周期图形结构ITO薄膜的厚度，所述Au电极采用利用lift off工艺制作在规则周期图形结构ITO薄膜表面，所述Ni/Au电极制作在Si衬底背面，通过Au电极和Ni/Au电极施加恒定电场，使所述恒定电场垂直施加在ITO薄膜上，对恒定电场调节实现对ITO材料表面等离子体共振频率实时动态调节的目的，实现本发明提出的这种调节表面等离子体共振频率的方法。