[发明专利]基于弧形扩散区的雪崩光电探测器及其制作方法有效
申请号: | 201811228418.2 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109346552B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 杨晓红;王晖;何婷婷;刘凯宝 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;弦海(上海)量子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于弧形扩散区的雪崩光电探测器及其制作方法。其中,雪崩光电探测器包括:一外延结构,该外延结构自下而上包含:N型衬底、吸收层、电荷层、以及本征倍增层;在该本征倍增层中形成有3D碗状开口并在此3D碗状开口下形成有P型高掺杂的弧形扩散区;一钝化层,形成于外延结构之上;一P型电极层,与P型高掺杂的弧形扩散区接触;一N型电极层,与N型衬底接触;以及一增透膜,作为光窗口,设置于该单电子雪崩光电探测器的正面或背面,该增透膜的中心与弧形扩散区的曲率中心的连线平行于外延方向,且该光窗口的光场中心区域与高场区在空间上重合。有效提高器件的光子探测效率,减小器件的暗计数,并降低后脉冲几率。 | ||
搜索关键词: | 基于 弧形 扩散 雪崩 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于弧形扩散区的雪崩光电探测器,包括:一外延结构,该外延结构自下而上包含:N型衬底、吸收层、电荷层、以及本征倍增层;在该本征倍增层中形成有3D碗状开口并在此3D碗状开口下形成有P型高掺杂的弧形扩散区;一钝化层,形成于外延结构之上;一P型电极层,与P型高掺杂的弧形扩散区接触;一N型电极层,与N型衬底接触;以及一增透膜,作为光窗口,设置于该单电子雪崩光电探测器的正面或背面,该增透膜的中心与弧形扩散区的曲率中心的连线平行于外延方向,且该光窗口的光场中心区域与高场区在空间上重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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