[发明专利]基于弧形扩散区的雪崩光电探测器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811228418.2 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN109346552B 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 杨晓红;王晖;何婷婷;刘凯宝 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所;弦海(上海)量子科技有限公司
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于弧形扩散区的雪崩光电探测器及其制作方法。其中,雪崩光电探测器包括:一外延结构,该外延结构自下而上包含:N型衬底、吸收层、电荷层、以及本征倍增层;在该本征倍增层中形成有3D碗状开口并在此3D碗状开口下形成有P型高掺杂的弧形扩散区;一钝化层,形成于外延结构之上;一P型电极层,与P型高掺杂的弧形扩散区接触;一N型电极层,与N型衬底接触;以及一增透膜,作为光窗口,设置于该单电子雪崩光电探测器的正面或背面,该增透膜的中心与弧形扩散区的曲率中心的连线平行于外延方向,且该光窗口的光场中心区域与高场区在空间上重合。有效提高器件的光子探测效率,减小器件的暗计数,并降低后脉冲几率。
搜索关键词: 基于 弧形 扩散 雪崩 光电 探测器 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种基于弧形扩散区的雪崩光电探测器,包括:一外延结构,该外延结构自下而上包含:N型衬底、吸收层、电荷层、以及本征倍增层;在该本征倍增层中形成有3D碗状开口并在此3D碗状开口下形成有P型高掺杂的弧形扩散区;一钝化层,形成于外延结构之上;一P型电极层,与P型高掺杂的弧形扩散区接触;一N型电极层,与N型衬底接触;以及一增透膜,作为光窗口,设置于该单电子雪崩光电探测器的正面或背面,该增透膜的中心与弧形扩散区的曲率中心的连线平行于外延方向,且该光窗口的光场中心区域与高场区在空间上重合。
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