[发明专利]多孔膜厚度与孔隙率二维分布测定方法有效
申请号: | 201811228419.7 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109141260B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 祁志美;刘紫威;高然;张萌颖;赵敏;尹涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06;G01N15/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 喻颖 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种多孔膜厚度与孔隙率二维分布测定方法,包括:获得包含透明基底/缓冲膜/待测多孔膜的共振芯片;以宽带线偏振平行光为入射光,利用高光谱成像装置获取共振芯片的一实测共振图像和至少一组实测共振光谱;确定第一实测共振图像每一像素区域的至少两个实测共振波长;分别在至少两个实测共振波长所对应的测试条件下,通过仿真拟合求取表征每一像素区域处待测多孔膜的孔隙率和厚度关系的至少两个函数;求取同时满足该至少两个函数的孔隙率和厚度,即为每一像素区域位置处待测多孔膜的孔隙率和厚度。本发明具有原位实时、测量精度高、无破坏性等特点。 | ||
搜索关键词: | 多孔 厚度 孔隙率 二维 分布 测定 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多孔膜厚度与孔隙率二维分布测定方法,包括:步骤A:获得包括透明基底/缓冲膜/待测多孔膜的共振芯片;步骤B:以宽带线偏振平行光为入射光,利用高光谱成像装置在第一测试条件下获取所述共振芯片表面一待测区域的第一实测共振图像和第一组实测共振光谱,所述第一组实测共振光谱中每个实测共振光谱对应于所述第一实测共振图像的不同像素区域并提供至少一实测共振波长,所述像素区域包含至少一像素;步骤C:当一个实测共振光谱能够提供至少两个实测共振波长时,所述至少两个实测共振波长分别与待测多孔膜中不同级数导模相对应,利用所述第一组实测共振光谱确定与所述第一实测共振图像的每一像素区域相对应并归属于至少两个给定级数导模的至少两个实测共振波长;或当一个实测共振光谱只能提供一个实测共振波长时,在至少第二测试条件下获取所述待测区域的至少第二组实测共振光谱,所述至少第二组实测共振光谱中第m个实测共振光谱与第一组实测共振光谱中第m个实测共振光谱对应于所述第一实测共振图像的同一像素区域,分别利用所述第一组和至少第二组实测共振光谱确定所述第一实测共振图像的每一像素区域对应的至少两个实测共振波长;步骤D:分别在所述至少两个实测共振波长所对应的测试条件下,通过仿真拟合求取表征所述第一实测共振图像的每一像素区域对应的所述待测多孔膜的孔隙率和厚度关系的至少两个函数;步骤E:求取同时满足所述第一实测共振图像每一像素区域对应的所述至少两个函数的孔隙率和厚度,即为每一像素区域位置处所述待测多孔膜的孔隙率和厚度,由此得到待测多孔膜厚度与孔隙率的二维分布。
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