[发明专利]半导体图像感测装置及其制作方法

摘要

本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。

主权项

1.一种半导体图像传感器装置，其包括：半导体衬底；辐射感测区，其在所述半导体衬底中；第一隔离结构，其在所述半导体衬底中且其邻近于所述辐射感测区，其中所述第一隔离结构包括：在所述半导体衬底中的底部隔离部分；在所述半导体衬底中的上隔离部分；及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。