[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811229473.3 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109817716A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 耿文骏;林祐宽;杨昌达;王屏薇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体装置结构及其形成方法。此方法包含在半导体基底之上形成第一鳍结构、第二鳍结构、及第三鳍结构。此方法包含在第一鳍结构和第二鳍结构的侧壁之上形成第一间隔物元件以及部分地移除第一鳍结构和第二鳍结构。此方法包含在第三鳍结构的侧壁之上形成第二间隔物元件以及部分地移除第三鳍结构。第二间隔物元件高于第一间隔物元件。此方法包含在第一鳍结构、第二鳍结构、及第三鳍结构之上外延生长半导体材料，则在第一鳍结构及第二鳍结构上形成合并半导体元件，且在第三鳍结构上形成隔离半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍结构 间隔物元件 半导体装置结构 侧壁 移除 半导体材料 半导体基底 半导体元件 隔离半导体 外延生长 合并 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：在一半导体基底之上形成一第一鳍结构、一第二鳍结构、及一第三鳍结构；在该第一鳍结构和该第二鳍结构的多个侧壁之上形成多个第一间隔物元件；在形成该些第一间隔物元件之后，部分地移除该第一鳍结构和该第二鳍结构；在该第三鳍结构的多个侧壁之上形成多个第二间隔物元件，其中各个该些第二间隔物元件高于各个该些第一间隔物元件；在形成该些第二间隔物元件之后，部分地移除该第三鳍结构；以及在部分地移除该第一鳍结构、该第二鳍结构、和该第三鳍结构之后，在该第一鳍结构、该第二鳍结构、及该第三鳍结构之上外延生长一半导体材料，从而在该第一鳍结构及该第二鳍结构上形成一合并半导体元件，且在该第三鳍结构上形成一隔离半导体元件。
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