[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811230197.2 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111081547B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;朱永吉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述鳍部上具有分别横跨所述鳍部的第一伪栅极结构和第二伪栅极结构，所述第一伪栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁表面，且所述第二伪栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁表面；在所述层间介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有第一开口，且所述第一开口暴露出第一伪栅极结构顶部表面；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一伪栅极结构和位于第一伪栅极结构底部的鳍部，在所述层间介质层和鳍部内形成沟槽，且在形成所述沟槽的刻蚀过程中，对所述硬掩膜层的刻蚀速率小于对氮化硅材料的刻蚀速率。所述方法形成的半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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