[发明专利]一种异质结薄膜光伏器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种异质结薄膜光伏器件的制备方法，包括：在FTO基片上制备TiO2籽晶层，形成含TiO2籽晶层的FTO基片；在含TiO2籽晶层的FTO基片上制备Nb掺杂TiO2纳米线薄膜，形成Nb掺杂TiO2纳米线基片；在Nb掺杂TiO2纳米线基片上沉积Cu2O，形成沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜；在沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜上形成Ag电极。本发明采用水热法制备Nb掺杂TiO2纳米线基片，采用简单、易于实现的电沉积方法合成Cu2O薄膜、制备电极，工艺重复性和稳定性非常好；通过本方法制成的器件在AM1.5G的条件下获得了0.4％的光电转换效率，具有很大的经济和社会效益。

主权项

1.一种异质结薄膜光伏器件的制备方法，其特征在于，包括：S1、在FTO基片上制备TiO2籽晶层，形成含TiO2籽晶层的FTO基片；S2、在所述含TiO2籽晶层的FTO基片上制备Nb掺杂TiO2纳米线薄膜，形成Nb掺杂TiO2纳米线基片；S3、在所述Nb掺杂TiO2纳米线基片上沉积Cu2O，形成沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜；S4、在所述沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜上形成Ag电极。