[发明专利]一种键合晶圆及其制备方法有效
| 申请号： | 201811232574.6 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109390305B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈顺福;刘威;陈亮;吴昕;甘程 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王亮;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种键合晶圆及其制备方法。所述键合晶圆包括依次层叠的以下结构：第一晶圆；具有第一顶层金属的第一顶层金属绝缘层，所述第一顶层金属绝缘层层叠在所述第一晶圆上；一个或两个互连金属绝缘层，其中所述一个或两个互连金属绝缘层层叠在所述第一顶层金属绝缘层上，且在所述一个或两个互连金属绝缘层中形成有互连金属柱；具有第二顶层金属的第二顶层金属绝缘层，所述第二顶层金属绝缘层层叠在所述互连金属绝缘层上；和第二晶圆，所述第二晶圆层叠在所述第二顶层金属绝缘层上，其中，所述互连金属柱与所述第一顶层金属和所述第二顶层金属之间形成电连接。本发明的键合晶圆结构简单，制备方法经济简便，并避免引入更多缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 键合晶圆 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种键合晶圆，所述键合晶圆包括依次层叠的以下结构：第一晶圆；具有第一顶层金属的第一顶层金属绝缘层，所述第一顶层金属绝缘层层叠在所述第一晶圆上；一个或两个互连金属绝缘层，其中所述一个或两个互连金属绝缘层层叠在所述第一顶层金属绝缘层上，且在所述一个或两个互连金属绝缘层中形成有互连金属柱；具有第二顶层金属的第二顶层金属绝缘层，所述第二顶层金属绝缘层层叠在所述互连金属绝缘层上；和第二晶圆，所述第二晶圆层叠在所述第二顶层金属绝缘层上；其中，所述互连金属柱与所述第一顶层金属和所述第二顶层金属之间形成电连接。
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